SCMs|具有超均匀和高度有序量子点单层的高效量子点发光二极管

对于采用旋涂法制备量子点层的传统量子点发光二极管(QLEDs)而言，由于量子点有序性低，量子点薄膜不可避免地出现空隙，导致器件在偏压下产生漏电流。

近日，福州大学李福山教授等人在SCIENCE CHINA Materials发表研究论文，利用Langmuir-Blodgett (LB)技术制备了超均匀、高度有序的量子点单层，并且采用水平提拉法(HL)将量子点单层作为发光层转移到红色QLEDs上，器件表现出了高性能，其外量子效率(EQE)为19.0%，寿命(T₉₅@100 cd m⁻²)为13,324 h。

由于致密有序的量子点单层减少了漏电流，EQE和寿命分别提高了15%和183%。此外，LB技术是一种无有机溶剂气氛的方法，避免了层间互溶，同时也可以精确控制量子点薄膜的厚度，因此所制备的叠层白光QLEDs可以在4 V的低电压下获得白光。

图1 白光QLEDs的结构示意图和器件性能(a-f)。超均匀大面积量子点单层(g, h)。

最后，成功地在9 cm × 5 cm的矩形基板上制备了超均匀大面积量子点单层，表明LB-HL方法具有良好的尺寸可扩展性。 

文章信息

Zhao, D., Zheng, Y., Meng, T. et al. Efficient quantum dot light-emitting diodes with ultra-homogeneous and highly ordered quantum dot monolayer. Sci. China Mater. (2021). https://doi.org/10.1007/s40843-021-1793-3

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